愛發科上市了生產效率高達原來5倍的量產用干蝕刻(Dry Etching)裝置。主要面向發光二極管(LED)和激光二極管。計劃從07年12月起開始供貨,08年銷售30~40臺。價格為1億2000萬日元。

  該裝置采用了愛發科在化合物半導體市場上積累的工藝技術。用于LED生產時,原來只能放置1片100mm晶圓,而該裝置可同時處理5片。此外,50mm晶圓的處理數量從8片提高至21片,75mm晶圓從4片提高至9片,從而提高了生產效率。

  愛發科在化合物半導體(用于LED和激光二極管)、藍寶石、碳化硅、貴金屬和氧化膜等的蝕刻技術方面擁有豐富的經驗技術。該公司將提供可實現上述處理應用(Process Application)的設備和工藝。

  愛發科將以綜合實力涉足以發光元件為主的化合物半導體市場,將供應干蝕刻裝置、真空蒸著裝置、濺射裝置和化學氣相沉積(CVD)裝置等,今后將繼續加強此類解決方案的開發。

  另外,愛發科預定在“Semicon Japan 2007”(07年12月5~7日在千葉縣幕張Messe會展中心召開)上展出該裝置。
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